本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於大學、科大電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。
- 第一章 導論(第1頁)
- 1.1 簡史(第3頁)
- 1.2 概述(第15頁)
- 1.3 本章總結(第23頁)
- 習題(第23頁)
- 參考文獻(第23頁)
- 第二章 積體電路製程介紹(第25頁)
- 2.1 IC製程簡介(第26頁)
- 2.2 IC的良率(第27頁)
- 2.3 無塵室技術(第31頁)
- 2.4 IC晶圓廠的基本結構(第39頁)
- 2.5 IC測試與封裝(第49頁)
- 2.6 近期的發展(第57頁)
- 2.7 本章總結(第58頁)
- 習題(第59頁)
- 參考文獻(第60頁)
- 第三章 半導體基礎(第61頁)
- 3.1 半導體基本概念(第62頁)
- 3.2 半導體基本元件(第66頁)
- 3.3 IC晶片(第77頁)
- 3.4 IC基本製程(第81頁)
- 3.5 互補式金屬氧化物電晶體(第88頁)
- 3.6 2000 年後半導體製程發展趨勢(第93頁)
- 3.7 本章總結(第96頁)
- 習題(第97頁)
- 參考文獻(第97頁)
- 第四章 晶圓製造、磊晶成長和基板工程(第99頁)
- 4.1 簡介(第100頁)
- 4.2 為什麼使用矽材料(第100頁)
- 4.3 晶體結構與缺陷(第102頁)
- 4.4 從矽砂到晶圓(第105頁)
- 4.5 磊晶矽生長技術(第113頁)
- 4.6 基板工程(第121頁)
- 4.7 未來趨勢(第125頁)
- 4.8 本章總結(第128頁)
- 習題(第128頁)
- 參考文獻(第129頁)
- 第五章 加熱製程(第131頁)
- 5.1 簡介(第132頁)
- 5.2 加熱製程的硬體設備(第132頁)
- 5.3 氧化製程(第136頁)
- 5.4 擴散(第157頁)
- 5.5 退火過程(第162頁)
- 5.6 高溫化學氣相沉積(第165頁)
- 5.7 快速加熱製程(RTP) 系統(第174頁)
- 5.8 加熱製程近年發展(第181頁)
- 5.9 本章總結(第183頁)
- 習題(第184頁)
- 參考文獻(第185頁)
- 第六章 微影製程(第187頁)
- 6.1 簡介(第188頁)
- 6.2 光阻(第190頁)
- 6.3 微影製程(第193頁)
- 6.4 微影技術的發展趨勢(第219頁)
- 6.5 其他微影製程方法(第233頁)
- 6.6 極紫外光(EUV) 微影技術(第236頁)
- 6.7 安全性(第243頁)
- 6.8 本章總結(第244頁)
- 習題(第245頁)
- 參考文獻(第246頁)
- 第七章 電漿製程(第251頁)
- 7.1 簡介(第252頁)
- 7.2 電漿基本概念(第252頁)
- 7.3 電漿中的碰撞(第254頁)
- 7.4 電漿參數(第258頁)
- 7.5 離子轟擊(第264頁)
- 7.6 直流偏壓(第265頁)
- 7.7 電漿製程優點(第268頁)
- 7.8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器(第272頁)
- 7.9 遠距電漿製程(第274頁)
- 7.10 高密度電漿(HDP) 製程(第276頁)
- 7.11 本章總結(第279頁)
- 習題(第279頁)
- 參考文獻(第280頁)
- 第八章 離子佈植製程(第281頁)
- 8.1 簡介(第282頁)
- 8.2 離子佈植技術簡介(第289頁)
- 8.3 離子佈植技術硬體設備(第297頁)
- 8.4 離子佈植製程(第307頁)
- 8.5 安全性(第320頁)
- 8.6 近年發展及應用(第322頁)
- 8.7 本章總結(第326頁)
- 習題(第327頁)
- 參考文獻(第328頁)
- 第九章 蝕刻製程(第331頁)
- 9.1 蝕刻製程簡介(第332頁)
- 9.2 蝕刻製程基礎(第334頁)
- 9.3 濕式蝕刻製程(第340頁)
- 9.4 電漿( 乾式) 蝕刻製程(第346頁)
- 9.5 電漿蝕刻製程(第357頁)
- 9.6 蝕刻製程發展趨勢(第378頁)
- 9.7 蝕刻工藝的檢驗和計量(第379頁)
- 9.8 最新進展(第382頁)
- 9.9 本章總結(第388頁)
- 習題(第390頁)
- 參考文獻(第391頁)
- 第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜(第395頁)
- 10.1 簡介(第396頁)
- 10.2 化學氣相沉積(第398頁)
- 10.3 介電質薄膜的應用於CMOS IC(第415頁)
- 10.4 介電質薄膜特性(第423頁)
- 10.5 介電質CVD 製程(第433頁)
- 10.6 旋轉塗佈矽玻璃(Spin-on Glass,SOG)(第441頁)
- 10.7 高密度電漿CVD(HDP-CVD)(第442頁)
- 10.8 介電質CVD 反應室清潔(第445頁)
- 10.9 新千禧年的介電質材料(第448頁)
- 10.10 本章總結(第460頁)
- 習題(第461頁)
- 參考文獻(第462頁)
- 第十一章 金屬化製程(第465頁)
- 11.1 簡介(第466頁)
- 11.2 導電薄膜(第468頁)
- 11.3 金屬薄膜特性(第484頁)
- 11.4 金屬化學氣相沉積(第492頁)
- 11.5 物理氣相沉積(第501頁)
- 11.6 銅金屬化製程(第513頁)
- 11.7 最新進展(第519頁)
- 11.8 安全性(第522頁)
- 11.9 本章總結(第523頁)
- 習題(第524頁)
- 參考文獻(第525頁)
- 第十二章 化學機械研磨製程(第527頁)
- 12.1 簡介(第528頁)
- 12.2 CMP 硬體設備(第539頁)
- 12.3 CMP 研磨漿(第542頁)
- 12.4 CMP 基本理論(第548頁)
- 12.5 CMP 製程(第554頁)
- 12.6 CMP 製程近年發展(第563頁)
- 12.7 本章總結(第565頁)
- 習題(第567頁)
- 參考文獻(第568頁)
- 第十三章 半導體製程整合(第571頁)
- 13.1 簡介(第572頁)
- 13.2 晶圓準備(第572頁)
- 13.3 隔離技術(第574頁)
- 13.4 井區形成(第580頁)
- 13.5 電晶體製造(第583頁)
- 13.6 高k 金屬閘極MOSFET(第587頁)
- 13.7 連線技術(第592頁)
- 13.8 鈍化(第601頁)
- 13.9 本章總結(第602頁)
- 習題(第602頁)
- 參考文獻(第603頁)
- 第十四章 IC 製程技術(第605頁)
- 14.1 簡介(第606頁)
- 14.2 1980 年代CMOS 製程流程(第606頁)
- 14.3 1990 年代CMOS 製程流程(第610頁)
- 14.4 2000 年代CMOS 製程流程(第624頁)
- 14.5 2010 年代CMOS 製程流程(第644頁)
- 14.6 記憶體晶片製造製程(第656頁)
- 14.7 本章總結(第674頁)
- 習題(第675頁)
- 參考文獻(第676頁)
- 第十五章 3D IC 元件的製造過程(第679頁)
- 15.1 引言(第680頁)
- 15.2 埋入式閘極字元線DRAM(第681頁)
- 15.3 3D-NAND 快閃記憶體(第713頁)
- 15.4 高介電質、金屬閘極FinFET CMOS 製造(第757頁)
- 15.5 本章總結(第790頁)
- 習題(第792頁)
- 參考文獻(第793頁)
- 第十六章 總結與未來趨勢(第799頁)
- 參考文獻(第815頁)
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