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  • 新世代元件:我國碳化矽元件發展策略
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  • 並列題名:The strategy plan for silicon carbide devices development in Taiwan
  • 作者: 楊雅嵐, 江柏風著
  • 出版社:工業技術硏究院產業經濟與趨勢硏究中心
  • 出版年:2010
  • 集叢名:經濟部產業技術知識服務計畫 經濟部技術處產業技術知識服務計畫:ITRIEK-099-S103 經濟部科技專案成果
  • ISBN:9789862640364
  • 格式:PDF
  • 書籍難度(SR):837 SR值是什麼?
  • 適讀年齡:高於十二年級
  • 附註:執行單位: 財團法人工業技術研究院產業經濟與趨勢研究中心 ; 委託單位: 經濟部技術處
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在2008年至2009之際,全球經濟正面臨金融風暴的席捲,而此同時,全球的氣候也正面臨嚴峻的挑戰,層出不窮的各種氣候異象,使得全球產業由生產製造端到消費端均開始密切關注節能環保的相關議題。根據國際能源署(International Energy Agency;IEA)所發布的2009年世界能源展望(World Energy Outlook;WEO)資料中指出,由於全球溫室氣體排放來源中65%來自能源的生產、傳輸與使用,能源是全球溫室氣體排放的主要來源,也是造成全球天候異常的元兇,從能源部分的相關改善措施下手刻不容緩,而目前所採取的方案則是集中火力於低碳科技上的相關投資。
 
隨著環保意識的抬頭,全球半導體產業則聚焦在提高產品效率、降低功耗、減少材料使用等相關技術之投入,以達到CO2排放減量之目的。另一方面,各國政府大力推動更強調節能環保訴求的電動車輛、再生能源系統發展,帶出更高規格的元件需求。碳化矽(Silicon Carbide;SiC)元件則由於具備高導熱特性,加上其材料的寬能隙(Wide Band Gap)特性可耐高壓、可承受大電流,適合應用在高溫操作的功率元件領域,而在近期受到較為熱切的關注。

  • 第一章 緒 論(第1-1頁)
    • 第一節 研究目的(第1-4頁)
    • 第二節 研究方法(第1-5頁)
    • 第三節 研究架構(第1-6頁)
  • Chapter 1 Foreword(第1-1頁)
    • Section 1 Research Target(第1-4頁)
    • Section 2 Research Methodology(第1-5頁)
    • Section 3 Research Architecture(第1-6頁)
  • 第二章 碳化矽元件概述(第2-1頁)
    • 第一節 碳化矽元件發展近況(第2-1頁)
    • 第二節 碳化矽元件簡介與價值鏈概述(第2-5頁)
    • 第三節 碳化矽元件材料特性比較(第2-11頁)
    • 第四節 小結(第2-16頁)
  • Chapter 2 Introduction to Silicon Carbide Device(第2-1頁)
    • Section 1 Development History and Recent Status of Silicon Carbide Device(第2-1頁)
    • Section 2 Brief Introduction and Value Chain to Silicon Carbide Device(第2-5頁)
    • Section 3 Physical Properties of Silicon Carbide(第2-11頁)
    • Section 4 Summary(第2-16頁)
  • 第三章 從主要應用領域需求看碳化矽元件發展機會(第3-1頁)
    • 第一節 碳化矽元件應用市場概況(第3-1頁)
    • 第二節 LED 照明應用領域(第3-6頁)
    • 第三節 功率元件應用領域(第3-34頁)
    • 第四節 小結(第3-60頁)
  • Chapter 3 Application Requirements and Development Opportunities for Silicon Carbide(第3-1頁)
    • Section 1 Market Analysis for Silicon Carbide Device by Application(第3-1頁)
    • Section 2 Application of LED Lighting(第3-6頁)
    • Section 3 Application of Power Device(第3-34頁)
    • Section 4 Summary(第3-60頁)
  • 第四章 全球碳化矽元件供應與發展狀態(第4-1頁)
    • 第一節 各國發展狀態與策略(第4-1頁)
    • 第二節 全球供應鏈(第4-13頁)
    • 第三節 小結(第4-18頁)
  • Chapter 4 Worldwide Silicon Carbide Device Development and Supply Chain(第4-1頁)
    • Section 1 Development Status and Strategy by Country/Region(第4-1頁)
    • Section 2 Worldwide Supply Chain(第4-13頁)
    • Section 3 Summary(第4-18頁)
  • 第五章 台灣碳化矽元件發展機會與策略(第5-1頁)
    • 第一節 台灣發展碳化矽元件之產業環境分析(第5-2頁)
    • 第二節 台灣切入發展之重要性與效益(第5-7頁)
    • 第三節 台灣碳化矽元件發展策略與切入途徑(第5-8頁)
    • 第四節 其他衍生關鍵議題(第5-10頁)
  • Chapter 5 Development Opportunity and Strategy of Silicon Carbide Devicein Taiwan(第5-1頁)
    • Section 1 Analysis of Industry Environment in Taiwan(第5-2頁)
    • Section 2 Importance and Benefits for Development in Taiwan(第5-7頁)
    • Section 3 Development Opportunity and Strategy(第5-8頁)
    • Section 4 Some Issues for Development(第5-10頁)
  • 第六章 結論與建議(第6-1頁)
  • Chapter 6 Conclusion(第6-1頁)
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